Infineon Technologies - IRF640NSTRLPBF

KEY Part #: K6419369

IRF640NSTRLPBF التسعير (USD) [107556الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.34389
  • 800 pcs$0.25948

رقم القطعة:
IRF640NSTRLPBF
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - RF, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF electronic components. IRF640NSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF640NSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF640NSTRLPBF سمات المنتج

رقم القطعة : IRF640NSTRLPBF
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
سلسلة : HEXFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 18A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1160pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : D2PAK
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

قد تكون أيضا مهتما ب