رقم القطعة :
ZXMN3A02N8TC
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
7.3A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
25 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
26.8nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1400pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.56W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)