رقم القطعة :
SISS98DN-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
14.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
105 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14nC @ 7.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
608pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® 1212-8