Vishay Siliconix - SIHH11N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6417763

SIHH11N65E-T1-GE3 التسعير (USD) [40768الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.96391
  • 3,000 pcs$0.95911

رقم القطعة:
SIHH11N65E-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثايرستور - SCRs and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH11N65E-T1-GE3 electronic components. SIHH11N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH11N65E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH11N65E-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIHH11N65E-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 363 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1257pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 8 x 8
حزمة / القضية : 8-PowerTDFN

قد تكون أيضا مهتما ب
  • FDD13AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • SPA11N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • IRLMS2002TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP.

  • IRLMS1902TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP.