الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.7A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
200 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
155pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-65°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-223-4
حزمة / القضية :
TO-261-4, TO-261AA