ON Semiconductor - FDG316P

KEY Part #: K6418332

FDG316P التسعير (USD) [529955الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

رقم القطعة:
FDG316P
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor FDG316P electronic components. FDG316P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG316P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG316P سمات المنتج

رقم القطعة : FDG316P
الصانع : ON Semiconductor
وصف : MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
سلسلة : PowerTrench®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 1.6A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 190 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 165pF @ 15V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 750mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SC-88 (SC-70-6)
حزمة / القضية : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

قد تكون أيضا مهتما ب
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.