الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
250V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.2A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
27nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
780pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220F
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack