رقم القطعة :
SI4056DY-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
11.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
23 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
29.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
900pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)