وصف :
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Silicon Carbide (SiC)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V (1.2kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
500nC @ 20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
10200pF @ 800V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد :
Module