Vishay Siliconix - SI2303CDS-T1-E3

KEY Part #: K6421345

SI2303CDS-T1-E3 التسعير (USD) [471021الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

رقم القطعة:
SI2303CDS-T1-E3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات الجسر, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - SCRs, الثنائيات - RF, الثايرستور - TRIACs, الثايرستور - SCRs - وحدات and الثنائيات - مقومات - صفائف ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-E3 electronic components. SI2303CDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2303CDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2303CDS-T1-E3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI2303CDS-T1-E3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 2.7A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 190 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 155pF @ 15V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1W (Ta), 2.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-23-3 (TO-236)
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

قد تكون أيضا مهتما ب