DDR4, K4ABG165WA-MCWE, K4A4G085WE-BITD, 0

الجزء الرئيسي / الصانع	الوصف / قوات الدفاع الشعبي	الكمية / rfq
K4A4G085WE-BIRC Samsung Semiconductor	4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.	25355الأسهم قطعة
K4ABG165WA-MCWE Samsung Semiconductor	32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.	22057الأسهم قطعة
K4A4G085WE-BITD Samsung Semiconductor	4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.	20168الأسهم قطعة
K4A4G085WF-BCTD Samsung Semiconductor	4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	20623الأسهم قطعة
K4A4G085WF-BITD Samsung Semiconductor	4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.	15426الأسهم قطعة
K4A4G165WE-BCWE Samsung Semiconductor	4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	14339الأسهم قطعة
K4A4G165WE-BIRC Samsung Semiconductor	4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	24465الأسهم قطعة
K4A4G165WE-BITD Samsung Semiconductor	4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	25904الأسهم قطعة
K4A4G165WE-BIWE Samsung Semiconductor	4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.	15824الأسهم قطعة
K4A4G165WF-BCTD Samsung Semiconductor	4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.	26724الأسهم قطعة
K4A4G165WF-BITD Samsung Semiconductor	4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Sample.	19606الأسهم قطعة
K4A8G045WB-BCPB Samsung Semiconductor	8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	16925الأسهم قطعة
K4A8G045WB-BCRC Samsung Semiconductor	8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	24868الأسهم قطعة
K4A8G045WB-BCTD Samsung Semiconductor	8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	20149الأسهم قطعة
K4A8G045WC-BCPB Samsung Semiconductor	8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	25205الأسهم قطعة
K4A8G045WC-BCRC Samsung Semiconductor	8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	25285الأسهم قطعة
K4A8G045WC-BCTD Samsung Semiconductor	8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	23631الأسهم قطعة
K4A8G085WB-BCPB Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	15126الأسهم قطعة
K4A8G085WB-BCRC Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	16925الأسهم قطعة
K4A8G085WB-BCTD Samsung Semiconductor	8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.	25191الأسهم قطعة

DDR4

صفحات التصنيف