Samsung Semiconductor - K4A4G085WE-BIRC

KEY Part #: K7359578

[25355الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    K4A4G085WE-BIRC
    الصانع:
    Samsung Semiconductor
    وصف مفصل:
    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: LPDDR3, GDDR5, DDR3, LPDDR4X, MODULE, LPDDR4, SLC Nand and GDDR6 ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BIRC electronic components. K4A4G085WE-BIRC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G085WE-BIRC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WE-BIRC سمات المنتج

    رقم القطعة : K4A4G085WE-BIRC
    الصانع : Samsung Semiconductor
    وصف : 4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA
    سلسلة : DDR4
    كثافة : 4 Gb
    المؤسسة. : 512M x 8
    سرعة : 2400 Mbps
    الجهد االكهربى : 1.2 V
    مؤقت. : -40 ~ 95 °C
    صفقة : 78FBGA
    حالة المنتج : Mass Production

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.