رقم القطعة :
2N7002_NB9G002
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
115mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
50pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23 (TO-236AB)
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3