الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 600V 22A TO220
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
22A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
170 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
55nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2860pF @ 380V
تبديد الطاقة (ماكس) :
227W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220-3