الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
42 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
24nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1005pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SuperSOT™-6
حزمة / القضية :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6