BAL99-HE3-08 التسعير (USD) [3181000الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01227
- 15,000 pcs$0.01221
- رقم القطعة:
- BAL99-HE3-08
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 450mA 6ns 250 mA IFSM
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-HE3-08 electronic components. BAL99-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAL99-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAL99-HE3-08 سمات المنتج
رقم القطعة :
BAL99-HE3-08
الصانع :
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف :
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
70V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.25V @ 150mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
6ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
2.5µA @ 70V
السعة @ Vr ، F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد :
SOT-23
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 150°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
- SS8P2L-E3/87A
- S1B-E3/51T
- 245NQ015R
- BYD33JGP-E3/54
- STTH1R04
- R5100810XXWA
- 1N5401
- SIDC03D60C6X1SA2
- 1N914A
- RL205-TP
- RS2D-13
- FR606-T
- 10BQ100
- SF11-T
- APD245VD-E1
- 1N4936-AP
- DSI30-08AS-TUB
- FESF8AT-E3/45
- RO 2BV1
- ES3A-M3/9AT
- EGP10DE-E3/54
- U1B-E3/61T
- 1N3957GP-E3/54