Vishay Siliconix - SI7302DN-T1-E3

KEY Part #: K6397608

SI7302DN-T1-E3 التسعير (USD) [66997الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.58654
  • 3,000 pcs$0.58363

رقم القطعة:
SI7302DN-T1-E3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - SCRs - وحدات, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثايرستور - TRIACs, الثنائيات - زينر - واحد and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI7302DN-T1-E3 electronic components. SI7302DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7302DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7302DN-T1-E3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI7302DN-T1-E3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 220V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 8.4A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 320 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 645pF @ 15V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية : PowerPAK® 1212-8

قد تكون أيضا مهتما ب
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.