رقم القطعة :
BSC016N06NSTATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
DIFFERENTIATED MOSFETS
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
31A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 95µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
95nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
6500pF @ 30V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3W (Ta), 167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TDSON-8 FL
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN