Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST330C12C0

KEY Part #: K6458744

VS-ST330C12C0 التسعير (USD) [886الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$49.97357
  • 10 pcs$47.39658
  • 25 pcs$46.10675
  • 100 pcs$39.95861

رقم القطعة:
VS-ST330C12C0
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
SCR PHASE CONT 1200V 720A E-PUK. SCRs 1200 Volt 720 Amp
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - زينر - واحد, الثنائيات - مقومات - واحدة and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST330C12C0 electronic components. VS-ST330C12C0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST330C12C0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST330C12C0 سمات المنتج

رقم القطعة : VS-ST330C12C0
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : SCR PHASE CONT 1200V 720A E-PUK
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
الجهد - خارج الدولة : 1.2kV
الجهد - بوابة الزناد (Vgt) (ماكس) : 3V
الحالية - بوابة الزناد (Igt) (ماكس) : 200mA
الجهد - على الدولة (Vtm) (ماكس) : 1.96V
الحالية - على الدولة (و (AV)) (ماكس) : 720A
الحالية - على الدولة (It (RMS)) (الحد الأقصى) : 1420A
الحالية - تعليق (Ih) (ماكس) : 600mA
الحالية - خارج الدولة (ماكس) : 50mA
الحالية - غير مندوب زيادة 50 ، 60Hz (Itsm) : 9000A, 9420A
SCR نوع : Standard Recovery
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 125°C
تصاعد نوع : Chassis Mount
حزمة / القضية : TO-200AB, E-PUK
حزمة جهاز المورد : TO-200AB (E-Puk)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode