GeneSiC Semiconductor - 1N5834

KEY Part #: K6425048

وصف مفصل:: DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - IGBTs - واحدة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF ...

Competitive Advantage:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N5834 electronic components. 1N5834 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5834, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 1N5834

الصانع : GeneSiC Semiconductor

وصف : DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Schottky

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 40V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 40A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 590mV @ 40A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : -

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 20mA @ 10V

السعة @ Vr ، F : -

تصاعد نوع : Chassis, Stud Mount

حزمة / القضية : DO-203AB, DO-5, Stud

حزمة جهاز المورد : DO-5

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier