Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1N1184

KEY Part #: K6441577

VS-1N1184 التسعير (USD) [14255الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$3.03642
  • 10 pcs$2.74336
  • 25 pcs$2.61564
  • 100 pcs$2.27110
  • 250 pcs$2.16904
  • 500 pcs$1.97764
  • 1,000 pcs$1.72246

رقم القطعة:
VS-1N1184
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB. Rectifiers 100 Volt 35 Amp
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثايرستور - SCRs, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1N1184 electronic components. VS-1N1184 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1N1184, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1N1184 سمات المنتج

رقم القطعة : VS-1N1184
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 100V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 35A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.7V @ 110A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10mA @ 100V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Chassis, Stud Mount
حزمة / القضية : DO-203AB, DO-5, Stud
حزمة جهاز المورد : DO-203AB
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 190°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-C4PH6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L