Vishay Semiconductor Diodes Division - MMBD6050-G3-08

KEY Part #: K6458628

MMBD6050-G3-08 التسعير (USD) [3236035الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.01206
  • 15,000 pcs$0.01200

رقم القطعة:
MMBD6050-G3-08
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الثنائيات - مقومات - صفائف ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD6050-G3-08 electronic components. MMBD6050-G3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD6050-G3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBD6050-G3-08 سمات المنتج

رقم القطعة : MMBD6050-G3-08
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
سلسلة : Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 70V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 200mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 100mA
سرعة : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 4ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 100nA @ 50V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد : SOT-23
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 150°C (Max)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode