ON Semiconductor - FDC2612

KEY Part #: K6396031

FDC2612 التسعير (USD) [253170الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.14683
  • 3,000 pcs$0.14610

رقم القطعة:
FDC2612
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثايرستور - TRIACs, الثنائيات - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor FDC2612 electronic components. FDC2612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC2612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC2612 سمات المنتج

رقم القطعة : FDC2612
الصانع : ON Semiconductor
وصف : MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
سلسلة : PowerTrench®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 1.1A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 234pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SuperSOT™-6
حزمة / القضية : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

قد تكون أيضا مهتما ب