BAS516,H3F التسعير (USD) [3056256الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01210
- رقم القطعة:
- BAS516,H3F
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - JFETs, الثايرستور - TRIACs and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F electronic components. BAS516,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS516,H3F سمات المنتج
رقم القطعة :
BAS516,H3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
100V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.25V @ 150mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
3ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
200nA @ 80V
السعة @ Vr ، F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
SC-79, SOD-523
حزمة جهاز المورد :
ESC
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
150°C (Max)
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF