RS1DLHM2G التسعير (USD) [2000457الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01849
- رقم القطعة:
- RS1DLHM2G
- الصانع:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA.
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثايرستور - TRIACs and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1DLHM2G electronic components. RS1DLHM2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1DLHM2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1DLHM2G سمات المنتج
رقم القطعة :
RS1DLHM2G
الصانع :
Taiwan Semiconductor Corporation
وصف :
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
200V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
800mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.3V @ 800mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
150ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
5µA @ 200V
السعة @ Vr ، F :
10pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
DO-219AB
حزمة جهاز المورد :
Sub SMA
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 150°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
-
-
VB30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,TRENCH SKY RECT.
-
VB30120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
-
NSB8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
أجزاء ساخنة
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T