إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BMK0

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BMK0

KEY Part #: K7359634

[18031الأسهم قطعة]

    رقم القطعة:
    K4B1G0846I-BMK0
    الصانع:
    Samsung Semiconductor
    وصف مفصل:
    1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: GDDR6, HBM Flarebolt, DDR4, LPDDR4, MODULE, SLC Nand, HBM Aquabolt and LPDDR4X ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BMK0 electronic components. K4B1G0846I-BMK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G0846I-BMK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BMK0 سمات المنتج

    رقم القطعة : K4B1G0846I-BMK0
    الصانع : Samsung Semiconductor
    وصف : 1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    سلسلة : DDR3
    كثافة : 1 Gb
    المؤسسة. : 128M x 8
    سرعة : 1600 Mbps
    الجهد االكهربى : 1.35 V
    مؤقت. : -40 ~ 95 °C
    صفقة : 78FBGA
    حالة المنتج : Mass Production

    أحدث الأخبار

    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Speed for the next generation of mobile devices
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    The future of NAND technology
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    قد تكون أيضا مهتما ب
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    أجزاء ساخنة