إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYMA

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYMA

KEY Part #: K7359675

[18490الأسهم قطعة]

    رقم القطعة:
    K4B4G0846D-BYMA
    الصانع:
    Samsung Semiconductor
    وصف مفصل:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: HBM Flarebolt, LPDDR4, SLC Nand, MODULE, LPDDR4X, DDR4, LPDDR5 and DDR3 ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYMA electronic components. K4B4G0846D-BYMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846D-BYMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYMA سمات المنتج

    رقم القطعة : K4B4G0846D-BYMA
    الصانع : Samsung Semiconductor
    وصف : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    سلسلة : DDR3
    كثافة : 4 Gb
    المؤسسة. : 512M x 8
    سرعة : 1866 Mbps
    الجهد االكهربى : 1.35 V
    مؤقت. : 0 ~ 85 °C
    صفقة : 78FBGA
    حالة المنتج : Mass Production

    أحدث الأخبار

    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    The future of NAND technology
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Speed for the next generation of mobile devices
    قد تكون أيضا مهتما ب
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    أجزاء ساخنة